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갈륨(III) 염화물 CAS 13450-90-3
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갈륨(III) 염화물 CAS 13450-90-3

갈륨(III) 염화물 CAS 13450-90-3

제품 코드: BM-1-2-005
영어 이름: 갈륨(III) 염화물
CAS 번호: 13450-90-3
분자식: cl3ga
분자량: 176.08
EINECS 번호: 236-610-0
Analysis items: HPLC>99.5%, LC-MS
HS 코드: 28273990
주요 시장: 미국, 호주, 브라질, 일본, 독일, 인도네시아, 영국, 뉴질랜드, 캐나다 등
제조사: BLOOM TECH 우시 공장
기술용역 : 연구개발부-4

 

갈륨(III) 염화물, 갈륨(III) 염화물, CAS 13450-90-3, Cl3Ga로도 알려져 있습니다. 일반적으로 흰색 또는 연한 노란색의 고체 형태로 존재하는 무기 화합물입니다. 그것은 분말 또는 결정 형태를 가지고 있습니다. 물에 대한 용해도가 적당하며 많은 양의 열을 방출합니다. 에테르 및 벤젠과 같은 유기 용매에 용해되고 액체 암모니아에 용해되어 암모니아 착물을 형성합니다. 공기 중의 습식 가수분해는 연기를 발생시키며, 가스는 약 270도에서 이량체로 존재합니다. 공기 중에 습기가 있을 때 가수분해되어 연기를 생성합니다. 가스는 약 270℃에서 이량체 형태로 존재합니다. 3가 갈륨은 pH 6 이상의 수용액에서 GaO33 GaO2- 형태로 존재합니다. 전도성이 좋으며 전도성은 온도 및 농도와 관련이 있습니다. 고체상태에서는 자성을 갖지 않으나, 액체나 기체상태에서는 일정한 자성을 나타낼 수 있다. 무기 화합물로서 밀도가 높고, 융점 범위가 넓으며, 광학 및 전기 전도성이 좋고, 다양한 분야에 응용됩니다. 반도체, 태양전지, 레이저 등과 같은 여러 분야에 응용됩니다. 또한 갈륨염, 갈륨 산화물 등과 같은 다른 갈륨 화합물을 제조하는데도 사용됩니다.

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화학식

Cl3Ga

정확한 질량

174

분자량

176

m/z

176, m/z: 174 (100.0%), 176 (95.9%), 176 (66.4%), 178 (63.6%), 178 (30.6%), 180 (20.3%), 180 (3.3%), 182 (2.2%)

원소 분석

CI, 60.40; 가, 39시 60분

형태학적

염주

색상

하얀색

녹는점

78℃(점등)

비등점

섭씨 35도

밀도

25℃에서 2.47g/ml(lit.)

13450-90-3 Gallium(III) Chloride COA | Shaanxi BLOOM Tech Co., Ltd

CAS 13450-90-3 Gallium(III) chloride | Shaanxi BLOOM Tech Co., Ltd

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갈륨(III) 염화물GaCl3(GaCl3)은 무기화합물로서 독특한 화학적, 물리적 특성으로 인해 반도체, 촉매, 전지, ​​광학재료, 유기합성, 분광분석 등의 분야에서 광범위한 응용가치를 보여주고 있습니다. 다음은 6개 핵심 영역의 용도를 체계적으로 검토한 것입니다.

반도체 제조: 신소재의 기초
 

반도체 분야에서의 응용은 특히 화합물 반도체 및 광전자 장치 제조에서 가장 중요한 용도 중 하나입니다.
1. 화학 기상 증착(CVD) 전구체
화학 기상 증착 기술에서 III{0}}V 화합물 반도체(예: 질화 갈륨 및 갈륨 비소)를 제조하기 위한 핵심 전구체입니다. CVD 공정에서 염화갈륨은 고온에서 분해되고, 갈륨 원자는 질소, 비소 등의 원소와 결합하여 기판 위에 균일하고 치밀한 반도체 막을 형성합니다. 이 필름은 높은 전자 이동도, 높은 항복 전압 등의 특성을 갖고 있으며, 5G 통신 기지국, 레이더 시스템, 위성 통신 장비 등 고주파, 고속-, 고전력-전자 기기에 널리 사용됩니다.

CAS 13450-90-3 Gallium(III) chloride | Shaanxi BLOOM Tech Co., Ltd

 

CAS 13450-90-3 Gallium(III) chloride | Shaanxi BLOOM Tech Co., Ltd

2. LED 기판 소재
기판 소재로서 LED 칩에 대한 구조적 지원 및 광학 성능 최적화를 제공합니다. 넓은 밴드갭, 높은 열전도율 및 강한 방사선 저항으로 인해 염화 갈륨 기판을 기반으로 한 LED는 더 높은 발광 효율과 더 긴 수명을 갖습니다. 예를 들어 Liad와 같은 LED 선두 기업은 염화 갈륨 기판을 채택하여 제품의 광 효율성과 신뢰성을 크게 향상시키고 LED 조명 및 디스플레이 기술의 업그레이드를 추진하고 있습니다.

 

3. 반도체 도펀트
반도체의 전기적 특성을 조절하기 위해 갈륨 이온을 도입하여 반도체 재료를 도핑하는 데 사용할 수 있습니다. 예를 들어, 실리콘- 기반 반도체에 갈륨을 도핑하면 P-형 반도체가 형성되고, N-형 반도체와 결합하여 PN 접합이 형성되어 다이오드, 트랜지스터 등 기본 전자소자의 기능을 구현할 수 있습니다.

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배터리 기술: 에너지 저장 분야의 혁신가

 

CAS 13450-90-3 Gallium(III) chloride | Shaanxi BLOOM Tech Co., Ltd

배터리 분야의 응용 분야는 주로 리튬염화티오닐(LTC) 배터리와 리튬{0}}이온 배터리에 중점을 두고 전해질 시스템을 최적화하여 배터리 성능을 향상시킵니다.
1. 리튬 염화티오닐 배터리 전해질염
LTC 배터리에서는 전해질염인 LiGaCl₄의 전구체 물질로서,갈륨(III) 염화물 can improve the ion conductivity and chemical stability of the electrolyte. LiGaCl ₄ has a high decomposition voltage (>4V) and a wide electrochemical window, making LTC batteries have high energy density (>500Wh/kg) and long cycle life (>10년), 군 통신, 항공우주, 원격 모니터링 분야에서 널리 사용됩니다.

 

2. 리튬-이온 배터리용 양극 소재
갈륨 리튬 고용체를 형성하여 전극 재료의 상전이 및 부피 팽창을 억제하고 배터리의 사이클 안정성 및 안전성을 향상시켜 리튬{0}}이온 배터리의 양극 재료 첨가제로 사용할 수 있습니다. 예를 들어 리튬코발트산화물 양극에 염화갈륨을 첨가하면 배터리 사이클 수를 500회에서 1000회 이상으로 늘리는 동시에 열폭주 위험을 줄일 수 있습니다.

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광학재료: 투명성과 기능성의 융합

 

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광학 분야에서의 응용은 주로 광학 유리 제조 및 광전자 장치 포장에 반영되며 높은 투과율과 화학적 안정성을 활용하여 광학 성능을 최적화합니다.
1. 광학유리 제조
갈륨이온의 농도와 분포를 조절하여 유리의 굴절률, 분산, 투과율을 변화시키는 광학유리용 도펀트로 사용할 수 있습니다. 예를 들어, 불화물 유리에 염화갈륨을 도핑하면 광섬유 통신에 적합한 저손실, 고대역폭 광학 소재를 제조할 수 있어 광통신 기술 개발을 촉진할 수 있습니다.

 

2. 광전자소자 패키징
광전자 소자에 사용할 수 있는 포장재는 치밀한 산화갈륨 보호층을 형성하여 수증기와 산소를 격리함으로써 소자의 수명을 연장시킵니다. 예를 들어, 태양전지 패키징에 염화갈륨 코팅을 하면 전지의 감쇠율을 연간 5%에서 1% 미만으로 줄여 에너지 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다.

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염소화법은 합성에 일반적으로 사용되는 방법이다.갈륨(III) 염화물. 이 방법의 단계와 해당 화학반응식은 아래에 자세히 설명되어 있습니다.

Ga + Cl2→ GaCl3

실험 준비:
실험을 시작하기 전에 필요한 실험 재료와 장비를 준비하는 것이 필요합니다. 모든 재료와 장비가 건조하고 깨끗한 상태인지 확인하십시오.
(1) 갈륨분말 : 고순도-갈륨분말을 선택하여 건조한 곳에 보관하고 오염되지 않았음을 확인한 후 사용한다. 전자저울을 사용하여 필요한 갈륨분말의 질량을 정확하게 측정합니다.
(2) 염소 가스: 반응의 정확성과 제품의 순도를 보장하기 위해 고순도-염소 가스를 사용합니다. 보관 및 사용 중에는 염소 가스가 건조한 상태로 유지되도록 하십시오. 가스 실린더나 가스 파이프라인을 사용하여 염소 가스를 실험 장치에 도입합니다.
가열 장비: 반응 온도를 제어하기 위해 전기 가열 재킷이나 고온{0}}로와 같은 적절한 가열 장비를 선택합니다. 가열 장비를 원하는 온도로 예열하십시오.
(3) 건조 장비: 실험 환경의 건조를 보장하고 반응에 수분의 영향을 피하기 위해 건조제 또는 건조기를 사용하십시오. 건조한 실험 환경을 유지하기 위해 실험 장치 근처에 건조제나 건조기를 배치합니다.
(4) 실험장비 : 비커, 믹서, 드로퍼 등의 실험장비를 깨끗하고 작동상태가 양호하도록 준비한다. 실험 장비를 세제로 청소하고 탈이온수로 철저히 헹굽니다.

Chemical | Shaanxi BLOOM Tech Co., Ltd

실험 단계:
 

마른 비커에 적당량의 갈륨 분말을 첨가합니다. 갈륨 분말이 오염되지 않고 건조한 상태로 유지되는지 확인하십시오. 전자 저울을 사용하여 갈륨 분말의 필요한 질량을 정확하게 측정하고 비커에 추가합니다.

 

점적기나 기타 적절한 도구를 사용하여 비커에 적당량의 염소 가스를 천천히 추가합니다. 과잉을 피하기 위해 염소 가스의 유량을 제어하는 ​​데 주의를 기울이십시오. 과도한 반응을 피하기 위해 염소를 비커에 천천히 주입해야 합니다.

 

갈륨 분말이 염소 가스와 완전히 접촉할 때까지 교반기로 혼합물을 부드럽게 저어줍니다. 많은 양의 열이 발생하지 않도록 교반 속도는 너무 빠르지 않아야 합니다. 갈륨분말과 염소가스가 잘 섞이도록 교반기로 가볍게 저어준다.

 

비커를 전기 가열 재킷이나 고온로와 같은 가열 장치 위에 놓습니다.- 반응 요구 사항에 따라 가열 온도를 제어합니다. 온도 변화에 주의하고 안정적인 온도를 유지하세요. 비커를 가열 장비 위에 놓고 가열 온도를 적절한 범위 내로 조절합니다.

 

반응이 진행되는 동안 혼합물의 변화를 관찰해 보세요. 혼합물이 무색 투명해지면 반응이 완료된 것입니다. 반응 시간을 기록하고 부작용이 있는지 관찰하십시오. 반응이 완료되었는지 확인하려면 혼합물의 색상 변화와 거품 생성에 주의하십시오.

 

가열을 중단하고 비커를 실온까지 자연 냉각시키십시오. 제품의 불완전한 결정화 또는 기타 -부산물 생성을 방지하기 위해 너무 빨리 냉각하지 않도록 주의하세요. 비커를 가열 장비에서 꺼내어 통풍이 잘 되는 곳에 놓아 자연적으로 실온으로 냉각시킵니다.

 

반응 생성물을 여과하여 미반응 갈륨 분말 및 불순물을 제거합니다. 필터링 작업에는 적절한 필터 또는 여과지를 사용하십시오. 여과 후 여액을 모아 침전물의 형성을 관찰한다.

 

거친 염화갈륨을 재결정화하여 제품 순도를 향상시킵니다. 재결정의 구체적인 단계는 실험 조건 및 장비에 따라 달라질 수 있으며 실제 조건에 따라 조정이 필요할 수 있습니다. 조염화갈륨용액을 증발농축한 후 냉각, 결정화하여 제품의 순도를 향상시킨다.

 

 

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